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    晶體缺陷檢測,晶體缺陷測試分析

    晶體缺陷是指晶體內部結構完整性受到破壞的所在位置。按其延展程度可分成點缺陷、線缺陷和面缺陷。

    晶體缺陷檢測.png

    晶體缺陷檢測標準

    GB/T 8756-1988 鍺晶體缺陷圖譜

    GB/T 35316-2017 藍寶石晶體缺陷圖譜

    GB/T 37051-2018 太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法

    GB/T 43612-2023 碳化硅晶體材料缺陷圖譜

    T/CZSBDTHYXH 001-2023 半導體晶圓缺陷自動光學檢測設備

    NF ISO 5618-1:2023 技術陶瓷 GaN晶體表面缺陷的測試方法 第1部分:缺陷分類

    T/CPIA 0009-2019 電致發光成像測試晶體硅光伏組件缺陷的方法

    GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法

    晶體缺陷檢測項目

    晶體缺陷檢測項目包括透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)、傅里葉變換紅外光譜(FTIR)、動態光散射(DLS)和核磁共振(NMR)。

    1、透射電子顯微鏡(TEM):通過觀察材料的薄片樣品,可以在納米級別上檢測和觀察晶體缺陷,如晶界、位錯、空位和原子堆積缺陷。

    2、X射線衍射(XRD):通過分析晶體的衍射峰,可以確定晶體的晶格結構和缺陷,例如晶格畸變和晶界。

    3、傅里葉變換紅外光譜(FTIR):通過分析材料的紅外吸收譜圖揭示材料中的缺陷信息,例如氣原子和硅原子之間的缺陷。

    4、動態光散射(DLS):通過測量材料中顆粒或顆粒簇的尺寸和偏離程度,可以確定不同缺陷類型的存在或密度分布。

    5、核磁共振(NMR):通過檢測材料中原子核的磁場變化,可以確定各種類型的缺陷,例如空位、原子交換等。

    復達檢測流程

    1、溝通需求(在線或電話咨詢);

    2、寄樣(郵寄樣品支持上門取樣);

    3、初檢(根據客戶需求確定具體檢測項目);

    4、報價(根據檢測的復雜程度進行報價);

    5、簽約(雙方確定--簽訂保密協議);

    6、完成實驗(出具檢測報告,售后服務)。

    復達檢測服務內容更多詳情歡迎咨詢解鎖,上海復達檢測具體cma\cnas檢測資質,可出具第三方雙c資質報告,寄樣或上門檢測靈活選擇,有需要歡迎聯系我們溝通檢測詳情。


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