硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。 用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力。

硅片相關(guān)檢測標(biāo)準(zhǔn)

1、GB/T 40110-2021 表面化學(xué)分析 全反射X射線熒光光譜法（TXRF）測定硅片表面元素污染

2、GB/T 39145-2020 硅片表面金屬元素含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

3、GB/T 29055-2019 太陽能電池用多晶硅片

4、GB/T 37051-2018 太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法

5、GB/T 34479-2017 硅片字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范

6、GB/T 32280-2015 硅片翹曲度測試 自動非接觸掃描法

7、GB/T 30860-2014 太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測試方法

8、GB/T 30859-2014 太陽能電池用硅片翹曲度和波紋度測試方法

9、GB/T 30869-2014 太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化測試方法

10、GB/T 30701-2014 表面化學(xué)分析 硅片工作標(biāo)準(zhǔn)樣品表面元素的化學(xué)收集方法和全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測定

11、GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法

12、GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

13、GB/T 26068-2010 硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測試方法

14、GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸測試方法

15、GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴(kuò)展電阻探針法

16、GB/T 14140-2009 硅片直徑測量方法

17、GB/T 6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測試方法

18、GB/T 24578-2009 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法

19、GB/T 6618-2009 硅片厚度和總厚度變化測試方法

20、GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定硅片表面的有機污染物

21、GB/T 6619-2009 硅片彎曲度測試方法

22、GB/T 6616-2009 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法

23、GB/T 11073-2007 硅片徑向電阻率變化的測量方法

24、GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接觸式標(biāo)準(zhǔn)測試方法

25、GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的測定-間隙氧含量減少法

26、GB/T 15615-1995 硅片抗彎強度測試方法

27、GB/T 6620-1995 硅片翹曲度非接觸式測試方法

28、GB/T 14140.1-1993 硅片直徑測量方法 光學(xué)投影法

29、GB/T 14140.2-1993 硅片直徑測量方法 千分尺法

30、GB/T 13388-1992 硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測量方法

31、GB/T 11073-1989 硅片徑向電阻率變化的測量方法

32、KS D 0261-2012 鏡面硅片的外觀檢驗

33、KS D 0259-2012 硅片的厚度、厚度變化和彎曲度的測定方法

34、NF C96-050-9-2012 半導(dǎo)體器件 - 微型機電裝置 - 第9部分: 微機電系統(tǒng)硅片的硅片鍵合強度測試.

35、JC/T 2065-2011 太陽能電池硅片用石英舟

36、JC/T 2066-2011 太陽能電池硅片用石英玻璃擴(kuò)散管

37、IEC 62047-9-2011 半導(dǎo)體器件.微型機電器件.第9部分:微機電系統(tǒng)硅片的硅片鍵合強度測試

38、DB61/T 512-2011 太陽電池用單晶硅片檢驗規(guī)則

39、DB13/T 1314-2010 太陽能級單晶硅方棒、單晶硅片

40、DIN EN 50513-2009 太陽能硅片.太陽能電池制造用水晶硅片的數(shù)據(jù)表和產(chǎn)品信息

41、NF C57-203-2009 太陽能硅片.太陽能電池生產(chǎn)用晶體硅的數(shù)據(jù)單和產(chǎn)品信息.晶體硅硅片