Co60輻照測試——復達客戶檢測案例
反饋一位某航天科技有限公司的客戶,客戶需要參考《QJ 10004-2008 宇航用半導體器件總劑量輻照試驗方法》和衛星客戶對跟瞄相機產品對總劑量的相關試驗要求,對跟瞄相機的總劑量試驗制定了一個測試方案,接到反饋后,檢測工程師第一時間與客戶進行詳細溝通,情況如下:
客戶的產品是供給衛星企業使用的,需要對產品做一個輻照和性能測試,完整的試驗方案如下
試驗壓力:常壓;
試驗環境溫度:25℃;
試驗環境濕度度:35%RH;
輻射源為沽60γ射線源。
劑量率:不高于0.1rad(Si)/s。
劑量測量偏差≤5%
總劑量驗證試驗量級:45krad(Si)。
高溫退火:168小時@70℃,室溫退火時間12小時,在次過程中不需要輻照。
(1)確認硬件、軟件、上位機軟件版本信息正確,確認待測設備參數配置無誤;
(2)測試對象穩定安裝在測試平面上,并正確連接線纜;
(3)按照章節3.1所述測試科目,對被測設備的初始功能和性能進行測試,并對測試數據進行記錄。
(4)給被測設備通電,接通上位機軟件,啟動輻照至20Krad(Si),在此過程中,被測設備全程處于通電正常工作狀態,并且對數據進行保存。
(5)按照章節3.1所述測試科目,對被測設備進行以下科目測試。
(6)a:功耗;
(7)b:遙控遙測功能;
(8)c:圖像采集功能;
(9)對(5)中性能進行判定,若性能參數超差太大,判定為不合格,直接進入到高溫退火步驟。 若判定合格,繼續輻照試驗。
(10)在總劑量達到10Krad(Si)后,輻照量每增加4Krad(Si),參考步驟(5)對設備進行相關性能測試,并對測試結果進行判定;若性能參數超差太大,判定為不合格,直接進入到高溫退火步驟。 若判定合格,繼續輻照試驗,直至總劑量達到40Krad(Si)。
(11)在總劑量達到30Krad(Si)后,參考步驟(5)對設備進行相關性能測試,并對測試結果進行判定; 若判定合格,繼續進行高溫退火步驟。若性能參數超差太大,判定為不合格,直接進入到室溫退火步驟。
(12)高溫退火步驟:將設備放到70℃環境,時長168h,進行高溫退火(1)測試,期間被測設備全程通電正常工作,使用上位機保存數據。
(13)期間被測設備全程通電正常工作,使用上位機保存數據。
(14)室溫退火步驟:將設備放到室溫環境下,進行常溫退火測試,時長12小時,期間被測設備全程通電正常工作,使用上位機保存數據。
(15)高溫退火和常溫退火步驟后,按照章節3.1所述測試科目,對被測設備進行以下科目測試。
(16)a:設備外觀;
(17)b:接口靜態阻抗;
(18)c:功耗;
(19)d:遙控遙測功能;
(20)e:圖像采集功能;
(21)試驗結束。
a.外觀無異常;
b.接口靜態電阻,測試過程中保持合理范圍內;
c.功耗≤3W;
d.遙控遙測功能正常;
圖像采集功能:試驗前后滿足指標要求,性能無明顯變化。
按照客戶制定的測試方案,完成測試,客戶的方案我們合作的實驗室只能完成單獨的輻照測試,不能做其設備(集成處理機和跟瞄相機)的性能要求,和客戶溝通協商,我們只負責輻照部分,性能測試客戶自己去實驗室現場做
1、試驗目的:
對樣品進行設定條件下 Co-60γ射線的輻照,然后考核樣品在壽命期內由輻照引起的材料性能退化對其功能的影響。
2、試驗要求:
將樣品利用鈷-60γ射線裝置進行輻照 累積總劑量大于 450Gy。
3、樣品基本描述:
收樣日期:2024-01-25
樣品名稱:集成處理機和跟瞄相機
數量:1 套
4、試驗過程
4.1 選定試驗點
先使用化學劑量計測量出空場劑量率分布,在輻照室內均勻放置化學劑量計若干組,升源輻照 24 小時,取出測量,獲得箱內空間各點的實際劑量率:
選定劑量率定位:3.6Gy/h
目標劑量:試驗總劑量 450Gy,計算輻照時間為 125h。
為了確保樣品耐受程度,涉及將樣品實際劑量要大于所設目標劑量值。
4.2 樣品輻照
將樣品放置在預定的位置上,開始升源輻照,按照設置總時間+余量,取出樣品,完成輻照。
5、結論與評價
該航天科技有限公司提供的樣品(集成處理機和跟瞄相機)在鈷-60γ射線輻照92小時,劑量率每小時3.6Gy,累積劑量 331.2Gy,目標劑量:450Gy 劑量計測量系統誤差:5%
評價:
輻照 92 小時后 MOS 管失效試驗停止,未達到目標劑量 450Gy;將樣品放在 DRP-7403DZ 型加熱箱中溫度保持在 70℃±3℃加熱 88 小時;外觀觀察未見試樣顏色和脆性、粉化、掉渣等物化性能的變化。
我們在客戶要求的的時間內完成了測試,客戶在測試過程中也在現場完成了設備的性能測試,客戶需要提前結束輻照和高溫退火測試我們和實驗室溝通滿足了客戶的需求。測試完成在拿到報告后,客戶存在的疑問在第一時間溝通了客戶,解決了的客戶的疑問。